速度瞬秒三星!闪迪发布旗下首款UFS2.1闪存

来源:凤凰科技 2017-12-06 15:20:53

2017年12月5日闪迪闪存发布了旗下新一代iNAND嵌入式闪存芯片,其中包含了UFS和eMMC两种标准的嵌入式闪存芯片。

根据闪迪的官方介绍,这两款芯片都采用了闪迪的64层3D堆叠技术,其中型号为iNAND 8521为UFS2.1闪存,而iNAND 7550则是eMMC闪存。iNAND 8521的连续读取速度超过800MB/s,写入速度超过500MB/S,随机读取速度则是比上一代的iNAND 7232快了10倍。随机读取速度高达50K IOPs,写入45K IOPs。

iNAND 7550的连续写入速度260MB/S。闪迪表示这两款芯片都已经交付工厂进行样品生产,两者的最高容量版本为256GB。

巧合的是,在同一天,三星官方也宣布旗下的512GB eUFS2.1闪存已经进入了量产阶段。相比之下,三星的这个512GB闪存在性能上要比闪迪今天公布的弱一些,三星表示,这个512GB eUFS闪存的速度是此前48层V-NAND 256GB eUFS的两倍之多,它的顺序读取速度为860MB/S,顺序写入速度为255MB/S,随机4K读取速度为42,000 IOPS,随机4K写入速度为40,000 IOPS。

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